NGTB40N120FL2WG

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Herstellerteil	NGTB40N120FL2WG
Hersteller	Rochester Electronics
Beschreibung	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - igbts - einzeln
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	NGTB40N120FL2WG PDF

Verfügbarkeit

Auf Lager	192.269
Einzelpreis	$ 2.66000

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NGTB40N120FL2WG Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
igbt-Typ:	Trench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	1.2 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	80 A
Strom - Kollektor gepulst (icm):	200 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.4V @ 15V, 40A
Leistung max:	535 W
Schaltenergie:	3.4mJ (on), 1.1mJ (off)
Eingabetyp:	Standard
Gate-Gebühr:	313 nC
td (ein/aus) bei 25 °c:	116ns/286ns
Testbedingung:	600V, 40A, 10Ohm, 15V
Rückwärtserholzeit (trr):	240 ns
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Paket / Koffer:	TO-247-3
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-247

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