STGW10M65DF2

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Herstellerteil	STGW10M65DF2
Hersteller	STMicroelectronics
Beschreibung	TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - igbts - einzeln
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	STGW10M65DF2 PDF

Verfügbarkeit

Auf Lager	1.198
Einzelpreis	$ 1.88000

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STGW10M65DF2 Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	M
Paket:	Tube
Teilstatus:	Active
igbt-Typ:	Trench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	650 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	20 A
Strom - Kollektor gepulst (icm):	40 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2V @ 15V, 10A
Leistung max:	115 W
Schaltenergie:	120µJ (on), 270µJ (off)
Eingabetyp:	Standard
Gate-Gebühr:	28 nC
td (ein/aus) bei 25 °c:	19ns/91ns
Testbedingung:	400V, 10A, 22Ohm, 15V
Rückwärtserholzeit (trr):	96 ns
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Paket / Koffer:	TO-247-3
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-247

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