STGB30H65DFB2

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Herstellerteil	STGB30H65DFB2
Hersteller	STMicroelectronics
Beschreibung	TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 30
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - igbts - einzeln
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

Verfügbarkeit

Auf Lager	85
Einzelpreis	$ 2.22000

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STGB30H65DFB2 Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	HB2
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
igbt-Typ:	Trench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	650 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	50 A
Strom - Kollektor gepulst (icm):	90 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.1V @ 15V, 30A
Leistung max:	167 W
Schaltenergie:	270µJ (on), 310µJ (off)
Eingabetyp:	Standard
Gate-Gebühr:	90 nC
td (ein/aus) bei 25 °c:	18.4ns/71ns
Testbedingung:	400V, 30A, 6.8Ohm, 15V
Rückwärtserholzeit (trr):	115 ns
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Gerätepaket des Lieferanten:	D2PAK-3

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