19MT050XF

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Herstellerteil	19MT050XF
Hersteller	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Beschreibung	MOSFET 4N-CH 500V 31A MTP
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	19MT050XF PDF

Verfügbarkeit

Auf Lager	8.776.630
Einzelpreis	$ 0.00000

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19MT050XF Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	HEXFET®
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Obsolete
fet-Typ:	4 N-Channel (H-Bridge)
fet-Funktion:	Standard
Drain-Source-Spannung (vdss):	500V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	31A
rds auf (max) @ id, vgs:	220mOhm @ 19A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	6V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	160nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	7210pF @ 25V
Leistung max:	1140W
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Chassis Mount
Paket / Koffer:	16-MTP Module
Gerätepaket des Lieferanten:	16-MTP

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