FDC6301N_G

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Herstellerteil	FDC6301N_G
Hersteller	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET 2 N-CH 25V SUPERSOT6
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

Verfügbarkeit

Auf Lager	877.663
Einzelpreis	$ 0.00000

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FDC6301N_G Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)
Teilstatus:	Obsolete
fet-Typ:	2 N-Channel (Dual)
fet-Funktion:	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (vdss):	25V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	220mA
rds auf (max) @ id, vgs:	4Ohm @ 400mA, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	0.7nC @ 4.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	9.5pF @ 10V
Leistung max:	700mW
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Gerätepaket des Lieferanten:	SuperSOT™-6

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