APTM100H80FT1G

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Herstellerteil	APTM100H80FT1G
Hersteller	Microsemi
Beschreibung	MOSFET 4N-CH 1000V 11A SP1
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	APTM100H80FT1G PDF

Verfügbarkeit

Auf Lager	8.776.550
Einzelpreis	$ 0.00000

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APTM100H80FT1G Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Obsolete
fet-Typ:	4 N-Channel (H-Bridge)
fet-Funktion:	Standard
Drain-Source-Spannung (vdss):	1000V (1kV)
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	11A
rds auf (max) @ id, vgs:	960mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	150nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	3876pF @ 25V
Leistung max:	208W
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Chassis Mount
Paket / Koffer:	SP1
Gerätepaket des Lieferanten:	SP1

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