APTM100A12STG

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Herstellerteil	APTM100A12STG
Hersteller	Microsemi
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 1000V 68A LP8W
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	APTM100A12STG PDF

Verfügbarkeit

Auf Lager	1.755.310
Einzelpreis	$ 0.00000

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APTM100A12STG Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Discontinued at Digi-Key
fet-Typ:	2 N-Channel (Half Bridge)
fet-Funktion:	Standard
Drain-Source-Spannung (vdss):	1000V (1kV)
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	68A
rds auf (max) @ id, vgs:	120mOhm @ 34A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	5V @ 10mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	616nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	17400pF @ 25V
Leistung max:	1250W
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Chassis Mount
Paket / Koffer:	SP3
Gerätepaket des Lieferanten:	SP3

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