APT11GP60BDQBG

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Herstellerteil	APT11GP60BDQBG
Hersteller	Microsemi
Beschreibung	IGBT 600V 41A 187W TO247
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - igbts - einzeln
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	APT11GP60BDQBG PDF

Verfügbarkeit

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Einzelpreis	$ 0.00000

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APT11GP60BDQBG Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	POWER MOS 7®
Paket:	Tube
Teilstatus:	Obsolete
igbt-Typ:	PT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	600 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	41 A
Strom - Kollektor gepulst (icm):	45 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.7V @ 15V, 11A
Leistung max:	187 W
Schaltenergie:	46µJ (on), 90µJ (off)
Eingabetyp:	Standard
Gate-Gebühr:	40 nC
td (ein/aus) bei 25 °c:	7ns/29ns
Testbedingung:	400V, 11A, 5Ohm, 15V
Rückwärtserholzeit (trr):	-
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Paket / Koffer:	TO-247-3
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-247-3

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