HGTP12N60C3

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Herstellerteil	HGTP12N60C3
Hersteller	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Beschreibung	IGBT 600V 24A 104W TO220AB
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - igbts - einzeln
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	HGTP12N60C3 PDF

Verfügbarkeit

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HGTP12N60C3 Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	-
Paket:	Tube
Teilstatus:	Obsolete
igbt-Typ:	-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	600 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	24 A
Strom - Kollektor gepulst (icm):	96 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2V @ 15V, 12A
Leistung max:	104 W
Schaltenergie:	380µJ (on), 900µJ (off)
Eingabetyp:	Standard
Gate-Gebühr:	48 nC
td (ein/aus) bei 25 °c:	-
Testbedingung:	-
Rückwärtserholzeit (trr):	-
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Paket / Koffer:	TO-220-3
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-220-3

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