BUK961R4-30E,118

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Herstellerteil	BUK961R4-30E,118
Hersteller	NXP Semiconductors
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	BUK961R4-30E,118 PDF

Verfügbarkeit

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BUK961R4-30E,118 Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	TrenchMOS™
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Obsolete
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	30 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	120A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	5V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:	1.4mOhm @ 25A, 5V
vgs(th) (max) @ id:	2.1V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	113 nC @ 5 V
vgs (max):	±10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	16150 pF @ 25 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	357W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	D2PAK
Paket / Koffer:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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