IRF6614

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Herstellerteil	IRF6614
Hersteller	IR (Infineon Technologies)
Beschreibung	MOSFET N-CH 40V 12.7A DIRECTFET
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	IRF6614 PDF

Verfügbarkeit

Auf Lager	659.732
Einzelpreis	$ 0.00000

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IRF6614 Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	HEXFET®
Paket:	Tape & Reel (TR)
Teilstatus:	Obsolete
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	40 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	12.7A (Ta), 55A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	4.5V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:	8.3mOhm @ 12.7A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.25V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	29 nC @ 4.5 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	2560 pF @ 20 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	2.1W (Ta), 42W (Tc)
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	DIRECTFET™ ST
Paket / Koffer:	DirectFET™ Isometric ST

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