RN1605TE85LF

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Herstellerteil	RN1605TE85LF
Hersteller	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Beschreibung	TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - bipolar (bjt) - Arrays, vorgespannt
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	RN1605TE85LF PDF

Verfügbarkeit

Auf Lager	3.592
Einzelpreis	$ 0.34000

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RN1605TE85LF Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
Transistortyp:	2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Strom - Kollektor (ic) (max):	100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	50V
Widerstand - Basis (r1):	2.2kOhms
Widerstand - Emitter Basis (r2):	47kOhms
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:	80 @ 10mA, 5V
vce Sättigung (max) @ ib, ic:	300mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max):	100nA (ICBO)
Frequenz - Übergang:	250MHz
Leistung max:	300mW
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	SC-74, SOT-457
Gerätepaket des Lieferanten:	SM6

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