SMUN5313DW1T3G

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Herstellerteil	SMUN5313DW1T3G
Hersteller	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Beschreibung	TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - bipolar (bjt) - Arrays, vorgespannt
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	SMUN5313DW1T3G PDF

Verfügbarkeit

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Einzelpreis	$ 0.10344

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SMUN5313DW1T3G Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)
Teilstatus:	Active
Transistortyp:	1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Strom - Kollektor (ic) (max):	100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	50V
Widerstand - Basis (r1):	47kOhms
Widerstand - Emitter Basis (r2):	47kOhms
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:	80 @ 5mA, 10V
vce Sättigung (max) @ ib, ic:	250mV @ 300µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max):	500nA
Frequenz - Übergang:	-
Leistung max:	187mW
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Gerätepaket des Lieferanten:	SOT-363

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