FGY75N60SMD

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Herstellerteil	FGY75N60SMD
Hersteller	Rochester Electronics
Beschreibung	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - igbts - einzeln
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	FGY75N60SMD PDF

Verfügbarkeit

Auf Lager	50
Einzelpreis	$ 3.50000

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FGY75N60SMD Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
igbt-Typ:	Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	600 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	150 A
Strom - Kollektor gepulst (icm):	225 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.5V @ 15V, 75A
Leistung max:	750 W
Schaltenergie:	2.3mJ (on), 770µJ (off)
Eingabetyp:	Standard
Gate-Gebühr:	248 nC
td (ein/aus) bei 25 °c:	24ns/136ns
Testbedingung:	400V, 75A, 3Ohm, 15V
Rückwärtserholzeit (trr):	55 ns
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Paket / Koffer:	TO-247-3 Variant
Gerätepaket des Lieferanten:	PowerTO-247-3

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