FGA50N100BNTDTU

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Herstellerteil	FGA50N100BNTDTU
Hersteller	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Beschreibung	IGBT 1000V 50A 156W TO3P
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - igbts - einzeln
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	FGA50N100BNTDTU PDF

Verfügbarkeit

Auf Lager	890
Einzelpreis	$ 5.09000

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FGA50N100BNTDTU Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	-
Paket:	Tube
Teilstatus:	Last Time Buy
igbt-Typ:	NPT and Trench
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	1000 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	50 A
Strom - Kollektor gepulst (icm):	100 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.9V @ 15V, 60A
Leistung max:	156 W
Schaltenergie:	-
Eingabetyp:	Standard
Gate-Gebühr:	275 nC
td (ein/aus) bei 25 °c:	-
Testbedingung:	-
Rückwärtserholzeit (trr):	1.5 µs
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Paket / Koffer:	TO-3P-3, SC-65-3
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-3P

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