RGT50NL65DGTL

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Herstellerteil	RGT50NL65DGTL
Hersteller	ROHM Semiconductor
Beschreibung	FIELD STOP TRENCH IGBT
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - igbts - einzeln
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

Verfügbarkeit

Auf Lager	1.000
Einzelpreis	$ 2.96000

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RGT50NL65DGTL Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
igbt-Typ:	Trench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	650 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	48 A
Strom - Kollektor gepulst (icm):	75 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.1V @ 15V, 25A
Leistung max:	194 W
Schaltenergie:	-
Eingabetyp:	Standard
Gate-Gebühr:	49 nC
td (ein/aus) bei 25 °c:	27ns/88ns
Testbedingung:	400V, 25A, 10Ohm, 15V
Rückwärtserholzeit (trr):	58 ns
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gerätepaket des Lieferanten:	LPDS

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