RJH1CV7DPK-00#T0

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Herstellerteil	RJH1CV7DPK-00#T0
Hersteller	Renesas Electronics America
Beschreibung	IGBT 1200V 70A 320W TO-3P
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - igbts - einzeln
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	RJH1CV7DPK-00#T0 PDF

Verfügbarkeit

Auf Lager	30
Einzelpreis	$ 6.90000

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RJH1CV7DPK-00#T0 Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	-
Paket:	Tube
Teilstatus:	Last Time Buy
igbt-Typ:	Trench
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	1200 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	70 A
Strom - Kollektor gepulst (icm):	-
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.3V @ 15V, 35A
Leistung max:	320 W
Schaltenergie:	3.2mJ (on), 2.5mJ (off)
Eingabetyp:	Standard
Gate-Gebühr:	166 nC
td (ein/aus) bei 25 °c:	53ns/185ns
Testbedingung:	600V, 35A, 5Ohm, 15V
Rückwärtserholzeit (trr):	200 ns
Betriebstemperatur:	150°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Paket / Koffer:	TO-3P-3, SC-65-3
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-3P

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