NGTB25N120FL3WG

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Herstellerteil	NGTB25N120FL3WG
Hersteller	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Beschreibung	IGBT 1200V 100A TO247
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - igbts - einzeln
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	NGTB25N120FL3WG PDF

Verfügbarkeit

Auf Lager	274.745
Einzelpreis	$ 5.99000

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NGTB25N120FL3WG Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	-
Paket:	Tube
Teilstatus:	Active
igbt-Typ:	Trench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	1200 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	100 A
Strom - Kollektor gepulst (icm):	100 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.4V @ 15V, 25A
Leistung max:	349 W
Schaltenergie:	1mJ (on), 700µJ (off)
Eingabetyp:	Standard
Gate-Gebühr:	136 nC
td (ein/aus) bei 25 °c:	15ns/109ns
Testbedingung:	600V, 25A, 10Ohm, 15V
Rückwärtserholzeit (trr):	114 ns
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Paket / Koffer:	TO-247-3
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-247-3

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