HGT1S20N36G3VL

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Herstellerteil	HGT1S20N36G3VL
Hersteller	Rochester Electronics
Beschreibung	N-CHANNEL IGBT
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - igbts - einzeln
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	HGT1S20N36G3VL PDF

Verfügbarkeit

Auf Lager	58.000
Einzelpreis	$ 1.87000

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HGT1S20N36G3VL Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	-
Paket:	Tube
Teilstatus:	Obsolete
igbt-Typ:	-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	395 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	37.7 A
Strom - Kollektor gepulst (icm):	-
vce(on) (max) @ vge, ic:	1.9V @ 5V, 20A
Leistung max:	150 W
Schaltenergie:	-
Eingabetyp:	Logic
Gate-Gebühr:	28.7 nC
td (ein/aus) bei 25 °c:	-/15µs
Testbedingung:	300V, 10A, 25Ohm, 5V
Rückwärtserholzeit (trr):	-
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Paket / Koffer:	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Gerätepaket des Lieferanten:	I2PAK (TO-262)

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