FGY60T120SQDN

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Herstellerteil	FGY60T120SQDN
Hersteller	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Beschreibung	IGBT 1200V 60A UFS
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - igbts - einzeln
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

Verfügbarkeit

Auf Lager	320.499
Einzelpreis	$ 8.55000

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FGY60T120SQDN Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	-
Paket:	Tube
Teilstatus:	Active
igbt-Typ:	-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	1200 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	120 A
Strom - Kollektor gepulst (icm):	240 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	1.95V @ 15V, 60A
Leistung max:	517 W
Schaltenergie:	-
Eingabetyp:	Standard
Gate-Gebühr:	311 nC
td (ein/aus) bei 25 °c:	52ns/296ns
Testbedingung:	600V, 60A, 10Ohm, 15V
Rückwärtserholzeit (trr):	-
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Paket / Koffer:	TO-247-3
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-247-3

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