RJP60F4DPM-00#T1

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Herstellerteil	RJP60F4DPM-00#T1
Hersteller	Renesas Electronics America
Beschreibung	IGBT 600V 60A 41.2W TO-3PFM
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - igbts - einzeln
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	RJP60F4DPM-00#T1 PDF

Verfügbarkeit

Auf Lager	88
Einzelpreis	$ 5.79000

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RJP60F4DPM-00#T1 Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	-
Paket:	Tube
Teilstatus:	Active
igbt-Typ:	Trench
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	600 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	60 A
Strom - Kollektor gepulst (icm):	-
vce(on) (max) @ vge, ic:	1.82V @ 15V, 30A
Leistung max:	41.2 W
Schaltenergie:	-
Eingabetyp:	Standard
Gate-Gebühr:	-
td (ein/aus) bei 25 °c:	45ns/70ns
Testbedingung:	400V, 30A, 5Ohm, 15V
Rückwärtserholzeit (trr):	-
Betriebstemperatur:	150°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Paket / Koffer:	TO-3PFM, SC-93-3
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-3PFM

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