N0602N-S19-AY

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Herstellerteil	N0602N-S19-AY
Hersteller	Renesas Electronics America
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	N0602N-S19-AY PDF

Verfügbarkeit

Auf Lager	2.000
Einzelpreis	$ 2.04000

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N0602N-S19-AY Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	-
Paket:	Tube
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	60 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	100A (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	10V
rds auf (max) @ id, vgs:	4.6mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	-
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	133 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	7730 pF @ 25 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	1.5W (Ta), 156W (Tc)
Betriebstemperatur:	150°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-220-3
Paket / Koffer:	TO-220-3 Isolated Tab

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