BSP149H6327XTSA1

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Herstellerteil	BSP149H6327XTSA1
Hersteller	IR (Infineon Technologies)
Beschreibung	MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	BSP149H6327XTSA1 PDF

Verfügbarkeit

Auf Lager	17.931
Einzelpreis	$ 1.24000

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BSP149H6327XTSA1 Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	SIPMOS®
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	200 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	660mA (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	0V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:	1.8Ohm @ 660mA, 10V
vgs(th) (max) @ id:	1V @ 400µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	14 nC @ 5 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	430 pF @ 25 V
fet-Funktion:	Depletion Mode
Verlustleistung (max.):	1.8W (Ta)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	PG-SOT223-4
Paket / Koffer:	TO-261-4, TO-261AA

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