STB6NK60Z-1

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Herstellerteil	STB6NK60Z-1
Hersteller	STMicroelectronics
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 6A I2PAK
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	STB6NK60Z-1 PDF

Verfügbarkeit

Auf Lager	466.230
Einzelpreis	$ 0.51625

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STB6NK60Z-1 Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	SuperMESH™
Paket:	Tube
Teilstatus:	Not For New Designs
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	600 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	6A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	10V
rds auf (max) @ id, vgs:	1.2Ohm @ 3A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4.5V @ 100µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	46 nC @ 10 V
vgs (max):	30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	905 pF @ 25 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	110W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten:	I2PAK
Paket / Koffer:	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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