DMN10H170SFGQ-7

Das Bild dient als Referenz. Bitte kontaktieren Sie uns, um ein echtes Bild zu erhalten

Herstellerteil	DMN10H170SFGQ-7
Hersteller	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	DMN10H170SFGQ-7 PDF

Verfügbarkeit

Auf Lager	1.864.930
Einzelpreis	$ 0.29109

DMN10H170SFGQ-7 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

DMN10H170SFGQ-7 Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	Automotive, AEC-Q101
Paket:	Tape & Reel (TR)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	100 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	2.9A (Ta), 8.5A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	4.5V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:	122mOhm @ 3.3A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	14.9 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	870.7 pF @ 25 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	940mW (Ta)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	PowerDI3333-8
Paket / Koffer:	8-PowerVDFN

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.