IRF40H210

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Herstellerteil	IRF40H210
Hersteller	Rochester Electronics
Beschreibung	MOSFET N-CH 40V 100A 8PQFN
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	IRF40H210 PDF

Verfügbarkeit

Auf Lager	7.883
Einzelpreis	$ 0.56000

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IRF40H210 Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	HEXFET®, StrongIRFET™
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	40 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	100A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	6V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:	1.7mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.7V @ 150µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	152 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	5.406 pF @ 25 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	125W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	8-PQFN (5x6)
Paket / Koffer:	8-PowerVDFN

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