SCTWA50N120

Das Bild dient als Referenz. Bitte kontaktieren Sie uns, um ein echtes Bild zu erhalten

Herstellerteil	SCTWA50N120
Hersteller	STMicroelectronics
Beschreibung	SICFET N-CH 1200V 65A HIP247
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	SCTWA50N120 PDF

Verfügbarkeit

Auf Lager	1.240
Einzelpreis	$ 29.63000

SCTWA50N120 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

SCTWA50N120 Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	-
Paket:	Tube
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	1200 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	65A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	20V
rds auf (max) @ id, vgs:	69mOhm @ 40A, 20V
vgs(th) (max) @ id:	3V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	122 nC @ 20 V
vgs (max):	+25V, -10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	1900 pF @ 400 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	318W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 200°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten:	HiP247™
Paket / Koffer:	TO-247-3

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.