IPD60R600E6ATMA1

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Herstellerteil	IPD60R600E6ATMA1
Hersteller	Rochester Electronics
Beschreibung	COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	IPD60R600E6ATMA1 PDF

Verfügbarkeit

Auf Lager	8.488
Einzelpreis	$ 0.52000

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IPD60R600E6ATMA1 Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	CoolMOS™ E6
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	600 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	7.3A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	10V
rds auf (max) @ id, vgs:	600mOhm @ 2.4A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.5V @ 200µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	20.5 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	440 pF @ 100 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	63W (Tc)
Betriebstemperatur:	-
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-252
Paket / Koffer:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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