NTJS4160NT1G

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Herstellerteil	NTJS4160NT1G
Hersteller	Rochester Electronics
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 1.8A SC88/SC70-6
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	NTJS4160NT1G PDF

Verfügbarkeit

Auf Lager	637.216
Einzelpreis	$ 0.07000

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NTJS4160NT1G Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Obsolete
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	30 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	1.8A (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	4.5V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:	60mOhm @ 2.6A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	2.75 nC @ 4.5 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	230 pF @ 10 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	300mW (Ta)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	SC-88/SC70-6/SOT-363
Paket / Koffer:	6-TSSOP, SC-88, SOT-363

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