EPC2016C

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Herstellerteil	EPC2016C
Hersteller	EPC
Beschreibung	GANFET N-CH 100V 18A DIE
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	EPC2016C PDF

Verfügbarkeit

Auf Lager	134.646
Einzelpreis	$ 2.45000

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EPC2016C Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	eGaN®
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (vdss):	100 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	18A (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	5V
rds auf (max) @ id, vgs:	16mOhm @ 11A, 5V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 3mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	4.5 nC @ 5 V
vgs (max):	+6V, -4V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	420 pF @ 50 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	-
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	Die
Paket / Koffer:	Die

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