STB7ANM60N

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Herstellerteil	STB7ANM60N
Hersteller	STMicroelectronics
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 5A D2PAK
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	STB7ANM60N PDF

Verfügbarkeit

Auf Lager	591
Einzelpreis	$ 2.86000

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STB7ANM60N Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ II
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	600 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	5A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	10V
rds auf (max) @ id, vgs:	900mOhm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 250mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	14 nC @ 10 V
vgs (max):	±25V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	363 pF @ 50 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	45W (Tc)
Betriebstemperatur:	150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	D2PAK
Paket / Koffer:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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