QS8M12TCR

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Herstellerteil	QS8M12TCR
Hersteller	ROHM Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N/P-CH 30V 4A TSMT8
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	QS8M12TCR PDF

Verfügbarkeit

Auf Lager	86.984
Einzelpreis	$ 0.34293

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QS8M12TCR Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Not For New Designs
fet-Typ:	N and P-Channel
fet-Funktion:	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (vdss):	30V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	4A
rds auf (max) @ id, vgs:	42mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	3.4nC @ 5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	250pF @ 10V
Leistung max:	1.5W
Betriebstemperatur:	150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	8-SMD, Flat Lead
Gerätepaket des Lieferanten:	TSMT8

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