FDS6892AZ

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Herstellerteil	FDS6892AZ
Hersteller	Rochester Electronics
Beschreibung	N-CHANNEL POWER MOSFET
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	FDS6892AZ PDF

Verfügbarkeit

Auf Lager	13.319
Einzelpreis	$ 0.88000

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FDS6892AZ Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	PowerTrench®
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Obsolete
fet-Typ:	2 N-Channel (Dual)
fet-Funktion:	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (vdss):	20V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	7.5A
rds auf (max) @ id, vgs:	18mOhm @ 7.5A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	17nC @ 4.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	1286pF @ 10V
Leistung max:	900mW
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gerätepaket des Lieferanten:	8-SOIC

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