EFC6602R-TR

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Herstellerteil	EFC6602R-TR
Hersteller	Rochester Electronics
Beschreibung	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	EFC6602R-TR PDF

Verfügbarkeit

Auf Lager	130.439
Einzelpreis	$ 0.23000

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EFC6602R-TR Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	2 N-Channel (Dual) Common Drain
fet-Funktion:	Logic Level Gate, 2.5V Drive
Drain-Source-Spannung (vdss):	12V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	18A (Ta)
rds auf (max) @ id, vgs:	5.9mOhm @ 3A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1.3V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	55nC @ 4.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	-
Leistung max:	2W (Ta)
Betriebstemperatur:	150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	6-XFBGA, WLCSP
Gerätepaket des Lieferanten:	6-WLCSP (1.81x2.7)

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