SI1026X-T1-GE3

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Herstellerteil	SI1026X-T1-GE3
Hersteller	Vishay / Siliconix
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SC89-6
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	SI1026X-T1-GE3 PDF

Verfügbarkeit

Auf Lager	53.216
Einzelpreis	$ 0.47000

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SI1026X-T1-GE3 Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	2 N-Channel (Dual)
fet-Funktion:	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (vdss):	60V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	305mA
rds auf (max) @ id, vgs:	1.4Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	0.6nC @ 4.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	30pF @ 25V
Leistung max:	250mW
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	SOT-563, SOT-666
Gerätepaket des Lieferanten:	SC-89-6

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