NTJD1155LT1G

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Herstellerteil	NTJD1155LT1G
Hersteller	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT363
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	NTJD1155LT1G PDF

Verfügbarkeit

Auf Lager	782.590
Einzelpreis	$ 0.44000

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NTJD1155LT1G Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N and P-Channel
fet-Funktion:	Standard
Drain-Source-Spannung (vdss):	8V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	1.3A
rds auf (max) @ id, vgs:	175mOhm @ 1.2A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	-
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	-
Leistung max:	400mW
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Gerätepaket des Lieferanten:	SC-88/SC70-6/SOT-363

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