NVMFD5853NWFT1G

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Herstellerteil	NVMFD5853NWFT1G
Hersteller	Rochester Electronics
Beschreibung	N-CHANNEL, MOSFET
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	NVMFD5853NWFT1G PDF

Verfügbarkeit

Auf Lager	3.000
Einzelpreis	$ 0.72000

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NVMFD5853NWFT1G Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	2 N-Channel (Dual)
fet-Funktion:	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (vdss):	40V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	12A
rds auf (max) @ id, vgs:	10mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	24nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	1225pF @ 25V
Leistung max:	3.1W
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	8-PowerTDFN
Gerätepaket des Lieferanten:	8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

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