SIGC25T60SNCX7SA1

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Herstellerteil	SIGC25T60SNCX7SA1
Hersteller	IR (Infineon Technologies)
Beschreibung	IGBT 3 CHIP 600V WAFER
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - igbts - einzeln
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

Verfügbarkeit

Auf Lager	9.192.330
Einzelpreis	$ 0.00000

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SIGC25T60SNCX7SA1 Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Obsolete
igbt-Typ:	NPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	600 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	30 A
Strom - Kollektor gepulst (icm):	90 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.5V @ 15V, 30A
Leistung max:	-
Schaltenergie:	-
Eingabetyp:	Standard
Gate-Gebühr:	-
td (ein/aus) bei 25 °c:	44ns/324ns
Testbedingung:	400V, 30A, 11Ohm, 15V
Rückwärtserholzeit (trr):	-
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	Die
Gerätepaket des Lieferanten:	Die

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