GT60N321(Q)

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Herstellerteil	GT60N321(Q)
Hersteller	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Beschreibung	IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - igbts - einzeln
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	GT60N321(Q) PDF

Verfügbarkeit

Auf Lager	2.298.043
Einzelpreis	$ 0.00000

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GT60N321(Q) Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	-
Paket:	Tube
Teilstatus:	Obsolete
igbt-Typ:	-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	1000 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	60 A
Strom - Kollektor gepulst (icm):	120 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.8V @ 15V, 60A
Leistung max:	170 W
Schaltenergie:	-
Eingabetyp:	Standard
Gate-Gebühr:	-
td (ein/aus) bei 25 °c:	330ns/700ns
Testbedingung:	-
Rückwärtserholzeit (trr):	2.5 µs
Betriebstemperatur:	150°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Paket / Koffer:	TO-3PL
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-3P(LH)

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