R6530KNZC8

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Herstellerteil	R6530KNZC8
Hersteller	ROHM Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 650V 30A TO3
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	R6530KNZC8 PDF

Verfügbarkeit

Auf Lager	903.984
Einzelpreis	$ 0.00000

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R6530KNZC8 Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	-
Paket:	Tube
Teilstatus:	Obsolete
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	650 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	30A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	10V
rds auf (max) @ id, vgs:	140mOhm @ 14.5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	5V @ 960µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	56 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	2.35 nF @ 25 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	86W (Tc)
Betriebstemperatur:	150°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-3
Paket / Koffer:	TO-3P-3 Full Pack

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