APTM10DHM09T3G

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Herstellerteil	APTM10DHM09T3G
Hersteller	Microsemi
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

Verfügbarkeit

Auf Lager	975.205
Einzelpreis	$ 0.00000

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APTM10DHM09T3G Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	POWER MOS V®
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Obsolete
fet-Typ:	2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
fet-Funktion:	Standard
Drain-Source-Spannung (vdss):	100V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	139A
rds auf (max) @ id, vgs:	10mOhm @ 69.5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 2.5mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	350nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	9875pF @ 25V
Leistung max:	390W
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Chassis Mount
Paket / Koffer:	SP3
Gerätepaket des Lieferanten:	SP3

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