APTM100VDA35T3G

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Herstellerteil	APTM100VDA35T3G
Hersteller	Microsemi
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

Verfügbarkeit

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Einzelpreis	$ 0.00000

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APTM100VDA35T3G Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	POWER MOS 7®
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Obsolete
fet-Typ:	2 N-Channel (Dual)
fet-Funktion:	Standard
Drain-Source-Spannung (vdss):	1000V (1kV)
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	22A
rds auf (max) @ id, vgs:	420mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	5V @ 2.5mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	186nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	5200pF @ 25V
Leistung max:	390W
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Chassis Mount
Paket / Koffer:	SP3
Gerätepaket des Lieferanten:	SP3

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