APTGT50A60T1G

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Herstellerteil	APTGT50A60T1G
Hersteller	Microsemi
Beschreibung	IGBT MODULE 600V 80A 176W SP1
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - igbts - Module
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	APTGT50A60T1G PDF

Verfügbarkeit

Auf Lager	867.022
Einzelpreis	$ 0.00000

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APTGT50A60T1G Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Obsolete
igbt-Typ:	Trench Field Stop
Aufbau:	Half Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	600 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	80 A
Leistung max:	176 W
vce(on) (max) @ vge, ic:	1.9V @ 15V, 50A
Strom - Kollektorabschaltung (max):	250 µA
Eingangskapazität (cies) @ vce:	3.15 nF @ 25 V
Eingang:	Standard
NTC-Thermistor:	Yes
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Chassis Mount
Paket / Koffer:	SP1
Gerätepaket des Lieferanten:	SP1

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