VS-GB75LP120N

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Herstellerteil	VS-GB75LP120N
Hersteller	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Beschreibung	IGBT MOD 1200V 170A INT-A-PAK
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - igbts - Module
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	VS-GB75LP120N PDF

Verfügbarkeit

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VS-GB75LP120N Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Obsolete
igbt-Typ:	-
Aufbau:	Single
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	1200 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	170 A
Leistung max:	658 W
vce(on) (max) @ vge, ic:	1.82V @ 15V, 75A (Typ)
Strom - Kollektorabschaltung (max):	1 mA
Eingangskapazität (cies) @ vce:	5.52 nF @ 25 V
Eingang:	Standard
NTC-Thermistor:	No
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Chassis Mount
Paket / Koffer:	INT-A-PAK (3 + 4)
Gerätepaket des Lieferanten:	INT-A-PAK

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