NXH50C120L2C2ES1G

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Herstellerteil	NXH50C120L2C2ES1G
Hersteller	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Beschreibung	IGBT MOD 1200V 50A 26DIP
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - igbts - Module
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

Verfügbarkeit

Auf Lager	637.956
Einzelpreis	$ 56.66833

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NXH50C120L2C2ES1G Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	-
Paket:	Tube
Teilstatus:	Active
igbt-Typ:	-
Aufbau:	Three Phase Inverter with Brake
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	1200 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	50 A
Leistung max:	20 mW
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.4V @ 15V, 50A
Strom - Kollektorabschaltung (max):	250 µA
Eingangskapazität (cies) @ vce:	11.89 nF @ 20 V
Eingang:	Three Phase Bridge Rectifier
NTC-Thermistor:	Yes
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Paket / Koffer:	26-PowerDIP Module (1.199", 47.20mm)
Gerätepaket des Lieferanten:	26-DIP

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