NXH100B120H3Q0PTG

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Herstellerteil	NXH100B120H3Q0PTG
Hersteller	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Beschreibung	IGBT MODULE 1200V 50A 186W 22PIM
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - igbts - Module
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

Verfügbarkeit

Auf Lager	24
Einzelpreis	$ 55.02000

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NXH100B120H3Q0PTG Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	-
Paket:	Tray
Teilstatus:	Active
igbt-Typ:	Trench Field Stop
Aufbau:	2 Independent
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	1200 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	50 A
Leistung max:	186 W
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.3V @ 15V, 50A
Strom - Kollektorabschaltung (max):	200 µA
Eingangskapazität (cies) @ vce:	9.075 nF @ 20 V
Eingang:	Standard
NTC-Thermistor:	No
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Chassis Mount
Paket / Koffer:	Module
Gerätepaket des Lieferanten:	22-PIM (55x32.5)

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