GA35XCP12-247

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Herstellerteil	GA35XCP12-247
Hersteller	GeneSiC Semiconductor
Beschreibung	IGBT 1200V SOT247
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - igbts - einzeln
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	GA35XCP12-247 PDF

Verfügbarkeit

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GA35XCP12-247 Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	-
Paket:	Tube
Teilstatus:	Obsolete
igbt-Typ:	PT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	1200 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	-
Strom - Kollektor gepulst (icm):	35 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	3V @ 15V, 35A
Leistung max:	-
Schaltenergie:	2.66mJ (on), 4.35mJ (off)
Eingabetyp:	Standard
Gate-Gebühr:	50 nC
td (ein/aus) bei 25 °c:	-
Testbedingung:	800V, 35A, 22Ohm, 15V
Rückwärtserholzeit (trr):	36 ns
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Paket / Koffer:	TO-247-3
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-247AB

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