IPA80R650CEXKSA1

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Herstellerteil	IPA80R650CEXKSA1
Hersteller	IR (Infineon Technologies)
Beschreibung	MOSFET N-CH 800V 4.5A TO220
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	IPA80R650CEXKSA1 PDF

Verfügbarkeit

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Einzelpreis	$ 0.00000

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IPA80R650CEXKSA1 Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	CoolMOS™ CE
Paket:	Tube
Teilstatus:	Discontinued at Digi-Key
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	800 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	4.5A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	10V
rds auf (max) @ id, vgs:	650mOhm @ 5.1A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.9V @ 470µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	45 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	1100 pF @ 100 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	33W (Tc)
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten:	PG-TO220 Full Pack
Paket / Koffer:	TO-220-3 Full Pack

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