IPI100N08S207AKSA1

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Herstellerteil	IPI100N08S207AKSA1
Hersteller	IR (Infineon Technologies)
Beschreibung	MOSFET N-CH 75V 100A TO262-3
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	IPI100N08S207AKSA1 PDF

Verfügbarkeit

Auf Lager	923.670
Einzelpreis	$ 0.00000

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IPI100N08S207AKSA1 Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	OptiMOS™
Paket:	Tube
Teilstatus:	Discontinued at Digi-Key
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	75 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	100A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	10V
rds auf (max) @ id, vgs:	7.1mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	200 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	4700 pF @ 25 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	300W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten:	PG-TO262-3
Paket / Koffer:	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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