IRF7811A

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Herstellerteil	IRF7811A
Hersteller	IR (Infineon Technologies)
Beschreibung	MOSFET N-CH 28V 11A 8SO
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	IRF7811A PDF

Verfügbarkeit

Auf Lager	461.807
Einzelpreis	$ 0.00000

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IRF7811A Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	HEXFET®
Paket:	Tube
Teilstatus:	Obsolete
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	28 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	11A (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	4.5V
rds auf (max) @ id, vgs:	10mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	26 nC @ 4.5 V
vgs (max):	±12V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	1760 pF @ 15 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	2.5W (Ta)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	8-SO
Paket / Koffer:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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